Samsung, katı hal depolama aygıtları için daha yüksek performans ve daha fazla kapasite vadeden 8. jenerasyon V-NAND belleklerin seri üretimine başlamaya hazırlanıyor. Samsung, 2013 yılında 24 katmanlı V-NAND bellekleri sayesinde rakiplerinin çok önündeydi lakin daha fazla katman oluşturmanın zorlaşmasıyla rakipleri tarafından yakalanmış durumda.
Yıl içerisinde Micronve SK Hynix, kendi NAND teknolojilerini geliştirdiklerini duyurdular. Micron tarafından gelen 232 katmanlı tahlili Sk Hynix 238 katmanlı TLC NAND belleklerle cevapladı. Samsung tarafında ise karşılık fazla gecikmedi: firma 236 katmanlı 8. kuşak 3D V-NAND belleklerin seri üretimi için yolun sonuna geldi.
Daha yüksek sürat ve depolama sunacak
Masaüstü ve dizüstüler için yeni jenerasyon PCIe Gen 5 arabirimi ile rekabetçi depolama tahlilleri sunmak isteyen Samsung, tıpkı vakitte taşınabilir tarafta UFS 4.0 ve UFS 3.1 teknolojileri için yeni kuşak bellekler üretmek istiyor. Halihazırda bulunan 7. Jenerasyon V-NAND bellekler 2/GT/s’ye kadar suratlar sunabiliyor ancak şimdilik 8. Jenerasyon V-NAND belleklerin suratları konusunda bir bilgi elimizde yok. Ancak Samsung, genel olarak daha fazla sürat, daha fazla depolama ve daha güç verimliliği sunmak istiyor.
ABD merkezli Micron, 40 milyar dolarlık yeni yatırımını duyurdu
Statista’ya nazaran, Koreli teknoloji devi, 2022’nin birinci çeyreğinde NAND flash pazarında %35,3 paya sahip. Samsung, kendisini %18,9 pazar hissesiyle takip eden ikinci sıradaki NAND bellek üreticisi Kioxia’ya bu alanda değerli bir fark atmış durumda.